Samsung: NAND-Einfügungen unter 30 nm

Der koreanische Hersteller hat eine Neuentwicklung angekündigt, die die Kapazität stark erhöhen könnte.

Samsung hat angekündigt, die neuesten TLC (Triple Level Cell) NAND-Chips bereits in der 20-nm-Klasse (20-29nm) herzustellen, die eine Kapazität von 64 Gbit haben werden. Sie können bereits 3 Bit pro Zelle speichern, dafür ist die Geschwindigkeit geringer als bei MLC und auch die Fehlerwahrscheinlichkeit steigt. Die neuen Chips werden vom Hersteller für USB-Geräte, Speicherkarten, SSDs und Smartphones empfohlen. Im August dieses Jahres hatten Intel und Micron bereits eigene 64-Gbit-TLC-Chips vorgestellt, die im 25-nm-Verfahren hergestellt wurden. Die bisherigen TLC-Chips von Samsung hatten nur 32 Gbit und wurden in der 30-nm-Klasse (30-39nm) hergestellt.