Samsung DDR2 bei 70 Nanometern
Die Produktion von DRAM-Chips stand schon immer im Vordergrund: Während die Bandbreite komplexer Verarbeitungschips in relativ großen Sprüngen abnimmt, steht eine kostengünstige Produktion von Speichern im Vordergrund, sodass diese oft in kleineren Schritten so schnell wie möglich vorangetrieben werden.
Den neuesten Nachrichten zufolge hat Samsung Electronics, der weltweit größte DRAM-Hersteller, die Entwicklung einer 512-Nanometer-Version seiner 2 Mbit-DDR70-Chips abgeschlossen. Einige Modulhersteller können ihre DDR2-Produkte bereits günstiger anbieten als herkömmliche DDRs, auch aufgrund der effizienteren Herstellbarkeit.
DRAM-Chips wurden bereits mit 80 und 90 Nanometern ausgeliefert, 70 Nanometer wurden jedoch zuerst von Samsung erreicht. Um die Wirkung der Entwicklung zu verdeutlichen, ist es eine einfache Tatsache, dass laut Hersteller eine Spanplatte gleicher Größe doppelt so viele Einlegeteile aufnehmen kann wie bei der 90-Nanometer-Technologie.
Da DRAM-Chips in großen Mengen verbraucht werden, zahlen sich die Fortschritte in der Fertigungstechnologie in diesem Bereich sehr schnell aus. Der erste in Serie gefertigte 70-Nanometer-Chip soll Mitte nächsten Jahres von Samsung eintreffen, bis dahin sollen neben 512 Mbit auch kleinere und höher dichte Versionen erhältlich sein.
Die Veröffentlichung von Windows Vista Ende 2006 wird ohnehin eine riesige Entwicklungswelle sein, so dass im Trubel der Speicherbedarf sicherlich deutlich steigen wird, sodass Samsungs neue Produkte gerade noch rechtzeitig kommen.
