Intel: Die zweite 45-nm-Fabrik wird gebaut
Der weltgrößte Halbleiterhersteller gab gestern bekannt, mit dem Bau seiner neuesten Wafer-Bearbeitungsanlage zu beginnen, die als zweiter Anlagenblock mit einer Bandbreite von 45 Nanometern produzieren wird.
Die Anlage mit dem Namen Fab 28 wird in der zweiten Jahreshälfte 2008 in Betrieb gehen und sich in Israel befinden. Die 3,5-Milliarden-Dollar-Investition wird sofort beginnen.
Wenn die Fab 28 fertig ist, wird es Intels siebte Anlage sein, die Siliziumwafer mit einem Durchmesser von bereits 300 Millimetern verarbeitet. Die Anlage mit einem Reinraum von ca. 18 Quadratmetern wird mehr als 2000 neue Arbeiter beschäftigen, so dass die israelische Regierung die Investition selbstverständlich auch unterstützen wird.
Der weltgrößte Halbleiterhersteller betreibt derzeit fünf 300-mm-Wafer-Bearbeitungsanlagen in Oregon, Arizona, New Mexico und Irland, wobei letzteres derzeit seine Kapazitäten erweitert und die daraus resultierende Fab 24-2 im ersten Quartal des nächsten Jahres die Produktion aufnehmen wird.
Im Juli dieses Jahres begannen die Arbeiten an der mehr als 3 Milliarden US-Dollar teuren Fab 32, die in Arizona gebaut wird und in der zweiten Jahreshälfte 2007 fertiggestellt werden könnte und mit einer Bandbreite von 45 nm produzieren kann.
Moderne Siliziumwafer-Verarbeitungsanlagen mit 300 mm Durchmesser können viel effizienter und wirtschaftlicher arbeiten als bisherige 200-mm-Anwender. Neben einer effizienteren Siliziumnutzung sind auch die Bearbeitungskosten deutlich geringer, ein Chip kann mit rund 40 Prozent weniger Energie produziert werden.
Wie Sie sehen können, wird die erstaunliche Wirtschaftskraft von Intel deutlich, wenn wir über die aktuellen und zukünftigen Einrichtungen des Unternehmens sprechen. Konkurrent AMD startet gerade sein zweites Prozessorwerk, und das aktuelle Werk arbeitet noch mit 200-mm-Wafern.
