DDR3-Speicher sind bereits bei 30 nm

Bis Ende des Jahres plant Samsung zudem weitere großvolumige Upgrades.

Samsung hat mit der Massenproduktion von 2-Gbit-Speicherchips bei 30 nm begonnen. Dadurch wurden Verbrauch und Betriebsspannung deutlich reduziert. Damit steht ein Takt von bis zu 1,35 MHz bei 1.866 Volt und 1,5 MHz bei 2.133 Volt zur Verfügung Im Vergleich zu bisherigen Chips, die bei 50 nm gefertigt wurden, lassen sich an der Serverfront bis zu 20 % Energie einsparen. Der Hersteller hört hier jedoch nicht auf und will bis Ende dieses Jahres 4Gbit-Chips einführen, die die Produktion von 8-GB-Modulen auf Desktop- und Notebook-Linien ermöglichen, während die Kapazität eines Moduls für Server 32 GB erreichen kann.

Module mit aktuellen 2-Gbit-Chips werden in den Kapazitäten 2, 4 und 8 GB erhältlich sein, zu den voraussichtlichen Preisen liegen jedoch noch keine Informationen vor.