Hynix hat auch ein eigenes DDR4-Modul hergestellt
Das südkoreanische Unternehmen hat die nächste Generation von Speichermodulen probiert.
A Samsung danach produzierte Hynix auch sein eigenes kundenspezifisches DDR4-Speichermodul. Die verwendeten Chips ticken mit einer effektiven Taktfrequenz von 2.400 MHz bei 1,2 Volt, und diese 2-Gigabit-Chips werden im 30-nm-Verfahren hergestellt und sind 80% schneller als ihre 1.333 MHz DDR3-Pendants. Die frischen Module passen in einen SO-DIMM-Slot und verfügen über ECC-Unterstützung, die Bandbreite erreicht 19,2 GB/s. Hynix behauptet, dass diese Module einen 64-Bit-I/O-Kanal verwenden und die Massenproduktion Mitte 2012 beginnen könnte.
