80-nm-Speicher von Samsung
Samsung hat einen DRAM-Chip mit 80 Gb Kapazität und 1-Nanometer-Technologie vorgestellt.
Die Fertigungstechnologie mit einer Bandbreite von 80 Nanometern ermöglicht es, die Herstellungskosten von Speicherchips zu senken. Dadurch kann der Preis der noch sehr seltenen 2- und 4-Gigabyte-DDR2-Module weiter gesenkt werden. Die 90-nm-1-Gbit-Chips messen 11 × 18 mm, während der neue Samsung-Speicher nur 11 × 11,5 mm groß ist.
Die South Early Company plant, den Marktanteil von DRAMs bis 2008 auf 37,8 Milliarden US-Dollar zu steigern, während sich der Marktanteil von 1-Gbit-Chips von derzeit 8 Prozent auf 36 Prozent in zwei Jahren ändern wird.
