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3,2 GHz GDDR4-Speicher von Samsung

Samsung Electronics, der weltgrößte Speicherhersteller, produziert für seine Partner bereits Muster des schnellsten GDDR4-SDRAM für verschiedene Entwicklungs- und Testzwecke.

Ihre Speicherchips können mit bis zu 3,2 GHz arbeiten, fast doppelt so schnell wie die Kopien heutiger Grafikkarten. Die GDDR4-Chips des südkoreanischen Herstellers haben eine Zugriffszeit von 0,6 ns, werden mit einer Bandbreite von 80 nm gefertigt und können 512 Megabit Daten auf einem einzigen Chip speichern. Bereits im Herbst 2005 stellte der Hersteller 256 Mb GDDR4 vor, die wiederum „nur“ mit 2,5 GHz arbeiteten. Spannungs- und Erwärmungseigenschaften wurden noch nicht berichtet. Der Umstieg auf GDDR4 wird auch dadurch unterstützt, dass es ein direkter Nachkomme von GDDR3 ist, sodass Hersteller es nicht mit viel Wechselgeld und Geld in ihre Produkte integrieren können. Die GDDR4-Speicher, die bei Punkt-zu-Punkt-Verbindungen über kurze Distanzen verwendet werden, werden voraussichtlich auf den leistungsstärksten Grafikkarten der nahen Zukunft zu finden sein. Die Serienproduktion der Speicher soll im zweiten Quartal 2006 beginnen.

Marktforscher sagen, dass der Umsatz mit Grafikspeicherchips in diesem Jahr 2,7 Milliarden US-Dollar erreichen könnte, 10 % mehr als im Vorjahr von 2,5 Milliarden US-Dollar.

Der Konkurrent Hynix hat seine GDDR4-Speicher bereits im Dezember angekündigt und plant, im ersten Quartal 2006, früher als Samsung Electronics, mit der Massenproduktion zu beginnen.

3,2 GHz GDDR4-Speicher von Samsung
Samsung Electronics GDDR4-Speicher

3,2 GHz GDDR4-Speicher von Samsung
Hynix DDR4

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