Seite auswählen

Toshiba fährt in der NAND-Flash-Branche auf 19 nm

 

Toshiba fährt in der NAND-Flash-Branche auf 19 nmDer Hersteller will die kleinste und fortschrittlichste Fliese der Welt besitzen.

 

 

Vor einer Woche wir haben gemeldet über das Intel und NAND-Flash-Chips, die bei 20 nm in einem Joint Venture mit Micron namens IM Flash Technologies hergestellt werden. Nun hat Toshiba stolz angekündigt, noch einen Schritt weiter zu gehen und statt 20 nm ein 19-nm-Verfahren einzusetzen. Dadurch entspricht die Fläche eines solchen Chips vom Typ MLC (Multi Level Cell) der Ausdehnung der Konkurrenzlösung, d. h. 118 mm2 und die Kapazität wird auf die gleiche Weise 64 Gbit (8 GB) betragen. Das Unternehmen wird Ende dieses Monats mit der Auslieferung der ersten Muster beginnen, wobei die Massenproduktion im dritten Quartal beginnen soll. Dieses Zeitintervall ähnelt dem von IMFT berichteten, da sie über das zweite Halbjahr 2011 sprachen. Toshiba wird auch eine Technologie namens „Toggle DDR2.0“ anbieten, die sich positiv auf die Geschwindigkeit auswirken wird. SanDisk, der Partner des besagten Herstellers, möchte sich noch in diesem Jahr der Gruppe der Hersteller anschließen, die 19 qm große NAND-Flash-Chips anbieten. Von der Neuentwicklung profitieren vor allem Tablets, SSDs und Smartphones. Die offizielle Ankündigung ist auf der Quellseite zu finden.

Toshiba fährt in der NAND-Flash-Branche auf 19 nm

Über den Autor

s3nki

Inhaber der Website HOC.hu. Er ist Autor von Hunderten von Artikeln und Tausenden von Nachrichten. Neben diversen Online-Schnittstellen hat er für das Chip Magazine und auch für den PC Guru geschrieben. Er betrieb zeitweise einen eigenen PC-Shop, arbeitete jahrelang neben dem Journalismus als Storemanager, Serviceleiter, Systemadministrator.

banner